Quelques considérations sur le transistor de puissance MOS...
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Caractéristique de sortie
En régime de commutation VDS = RDSON * ID |
Caractéristique d'entrée
En régime d'amplification VGS = 6,5V : ID = 40A VGS = 8,5V : ID = 80A |
Résistance apparente à l'état passant
La résistance RDSON |
La résistance RDSON Pour un accroissement de température de 25°C |
La résistance RDSON permet de déterminer la puissance dissipée à l'état passant:
P = RDSON * ID² = 0.011 * 100² = 110 W pour ID = 100 A
afin de choisir un dissipateur approprié.
Capacités parasites
Capacité grille-drain: Cgd Capacité grille-source: Cgs Capacité drain-source: Cds La capacité d'entrée est Ciss = Cgd + Cgs La capacité de sortie est Coss = Cgd + Cds La capacité de transfert est Crss = Cgd |
MTY100N10E |
Vds=25VDC Vgs=0VDC |
Symbole |
Min |
Typ |
Max |
Unit |
Capacité d'entrée |
Ciss |
- |
7600 |
10640 |
pF |
|
Capacité de sortie |
Coss |
- |
3300 |
4620 |
||
Capacité de transfert |
Crss |
- |
1200 |
2400 |
La capacité d'entrée Ciss doit être chargée et déchargée rapidement pour ne pas nuire à la vitesse de commutation: il faut donc utiliser pour piloter la grille un générateur de tension capable de fournir un courant important (pendant un bref instant) et une résistance de grille relativement faible (quelques ohms).
Diode source-drain
Cette diode existe par construction. Elle peut être utilisée comme diode de roue libre, sous réserve que sa rapidité le permette. Le constructeur donne pour la diode du MTY100N10E un temps de recouvrement inverse trr = 145 ns.